应用材料推出Endura制造系统 存储芯片革命就靠它了

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说到存储芯片,目前主统统指DRAM内存、NAND闪存及少每种NOR闪存,内存强度极快但成本贵,有时候断电不能自己 保存数据,NAND、NOR闪存都需要保存数据,成本也廉价,不过性能、延迟是不能自己 跟内存相比的。

在什么存储芯片之外,业界还在开发各种新一代芯片,比如MRAM磁阻内存、ReRAM电阻式内存、PCRAM相变内存(Intel的傲腾内存统统相变存储原理),什么芯片的特点统统一同融合了闪存及内存的优点,强度快、延迟低、可靠性高,一同断电不能保存数据,有时候这三类芯片全部都是同样的存在问题,那统统容量比较小,制造困难。

想处理新一代存储芯片的生产什么的问题,那就需要新的半导体设备,在这方面美国应用材料公司又一次走在世界前列了,日前该公司回应推出Endura生产平台,其中包括制造PCRAM及ReRAM的Endura Impulse PVD以及用于制造MRAM的Endura Clover PVD并不是物理气相沉积设备,这是该公司有史以来研发的最精密的芯片制造系统。

以Endura Clover PVD为例,应用材料公司表示它由9个晶圆处理反应室组成,全全部都是在真空、纯净具体情况下整合的,这也是业界第一一三个 多大规模量产用的400mm MRAM系统,其中每个反应室都需要沉积5种不同的材料,而制造MRAM芯片最少需要400种不同的材料沉积操作,每种材料沉积层比人类的头发需要细小400万倍,达到了亚原子级别的精度,制造过程极其僵化 也极其精密。

制造ReRAM及PCRAM的Endura Impulse PVD设备也是不能自己 ,同样是超级僵化 、精密的半导体设备。

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